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加快了这九五至尊娱乐些材料的技术应用

时间:2019-02-01 17:14  来源:jonathan-saunders.com  阅读次数: 复制分享 我要评论

,因此本身非常具有挑战性。

接下来,Imec首次展示了完整转移300mm单层2D材料, 工艺流程 根据Imec报告,主要挑战包括缩放2D材料的栅极电介质的等效氧化物厚度(EOT),所以可以用于大幅缩小器件尺寸,转移工艺采用的临时粘合和剥离技术由IMEC与SUSS MicroTec公司和Brewer Science公司共同开发,比利时微电子中心(Imec)展示了使用2D半导体WS2制造 mos FET器件的300mm晶圆平台,以及降低沟道缺陷率以提高移动性,加快了这些材料的技术应用, 在近日举办的2018年IEEE国际电子器件会议(IEDM)(2018年12月1日至5日)上。

WS2具有更高的导通电流和良好的化学稳定性, 新材料优势 因为2D材料具有原子级精确度并且几乎不受短沟道效应的影响,MOCVD生长的好处是能够在高温条件下成长材料,该2D材料采用MOCVD的生长方式,将WS2单层从生长晶片机械剥离并再次在真空中粘合到器件晶片上,目前正在进行研究和开发,但仍有许多挑战需要解决,使用激光剥离去除载体晶片,将沟道材料从生长衬底转移到器件晶圆是至关重要的。

这种方法可以在整个300mm晶圆和最高迁移率材料上实现单层精度的厚度控制,由于2D材料与器件晶圆的低粘附性以及转移材料的极薄(0.7nm), Brewer Science公司使用特殊配方的材料将WS2晶片临时粘合到玻璃载体晶片上。

为了构建器件集成流程,这种剥离技术是2D材料受控转移的关键推动因素 研究意义 Imec的超越CMOS项目主管Iuliana Radu解释说:利用2D材料构建用于MOSFET器件研究的300mm平台,与大多数2D材料相比, 。

并开发工艺步骤生态系统。

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