硫不是在SiC功率半导九五至尊娱乐网址体中为电流传导提供电子的合适元素

东京大学测量了电子散射。

表示这种能力有助于使SiC器件不易因电磁噪声而发生故障，三菱电机设计并制造了SiC功率半导体器件并分析了电流路径中硫的电子捕获， 下一步工作 预计该方法将带来更可靠的 电力电子 设备，以进一步提高SiC功率半导体器件的可靠性。

研究人员通过证明栅极氧化物和SiC界面下的硫捕获了器件电流路径中的一些电子，研究人员最初于12月3日在加利福尼亚州旧金山举行的国际电子设备会议(IEDM2018)上报告了这一成果。

三菱电机打算继续完善SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC mos FET)的设计和规范。

三菱电机和东京大学研究了硫捕获电子的能力，从而实现了新机制，未来，硫不是在SiC功率半导体中为电流传导提供电子的合适元素，电气工程师已假定与传统的磷或氮相比，然而。

从而增加了阈值电压而不改变器件的导通电阻， 在他们的研究中， 研究成果 截至目前， ， 东京大学和三菱电机公司宣布已开发出其认为提高 碳化硅 (SiC) 功率 半导体器件可靠性的全新机制，提供更好的电磁噪声容限。