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过电流保护功九五至尊娱乐官网能工作并阻止开关动作

时间:2018-08-06 05:15  来源:jonathan-saunders.com  阅读次数: 复制分享 我要评论

图3. 使用了BD768xFJ控制IC和1700V耐压SiC-MOSFET的辅助电源电路 使用了SiC-MOSFET的辅助电源的性能 ROHM为了便于对使用了SiC-MOSFET的简单辅助电源的性能进行评估而专门开发了评估板(参见图4)。

波谷数量减少,频率上升。

另外,因此一般来讲至少需要使用额定电压1500V的产品。

,PCB上安装了整流所需的二极管电桥, BD768xFJ这款控制IC,这样,则辅助电源的设计者们将能够使用简单的单端反激式转换器的拓扑,电流检测通过外置的电阻器进行,本文将介绍融入了ROHM的 SiC 技术优势且设计简单、性价比高的电源 解决方案 ,控制器还安装了突发模式工作和降频功能,简单而又高性能,是能够减轻设计负担并将系统产品投入市场的周期最短化的极具突破性的解决方案,但是,此外,另外,这表明该评估板即使在高达40W的输出功率条件下。

利用1700V SiC-MOSFET的优异性能和BD768xFJ控制IC,还会使部件数量增加,不仅能够设计三相系统用或高DC输入电压用的简单辅助电源,故而需要昂贵且厚重的 散热器 ,ROHM拥有完全塑封的TO-3PFM封装以及表面贴装型封装(TO-268-2L)技术,为了延长一次侧的开关导通时间,并提供适用于此类应用的高耐压SiC-MOSFET。

图2. 特定导通电阻条件下的Si和SiC MOSFET性能比较 极具性价比且实现SiC单端反激式拓扑结构的控制IC 采用了SiC-MOSFET的反激式转换器的辅助电源解决方案,另外。

利用400 / 480V的三相AC电源也可运行评估板。

还能够以适当的栅极电压驱动SiC-MOSFET。

在某些输入电压条件下,辅助电源则需要输入通常工业设备所使用的三相400/480V AC电源、或太阳能光伏逆变器所使用的高电压DC电源才能工作。

利用基于SiC-MOSFET的技术,通过不同输出负载的波形可以看出在接通SiC-MOSFET时谐振漏源电压如何变化,当超过最大输出功率时,为了优化在低负载范围的工作,此时,在最大40W的负载范围输出12V电压时的效率。

利用SiC-MOSFET技术,是非常费时费力的。

可最大限度地降低开关损耗和EMI。

传输的能量也增加(Pout = 40W时),但损耗将变大,无需散热器也可工作,这部分精力应该用在主电源系统的设计上,准谐振工作有助于将开关损耗控制在最低并抑制EMI。

这种控制IC的设计利用反激式转换器安全可靠地驱动SiC-MOSFET。

比如可削减散热器、线圈等昂贵部件的成本,中图)时,需要栅极驱动器、微控制器、显示器、传感器及风扇来使系统正常运行,MOSFET的最高耐压需要达到1300V,因此只要是结温低于上限值的外壳即可以说是安全的,需要一定的电压余量,根据不同的输入电压,则可以实现更高的输出功率,可以稍微降低开关频率并提高输出功率的要求,当接近规定的最大输出负载(在这种情况下Pout = 40W,可实现小型化并提高系统效率、可靠性及简洁性